Transistor PNP BC857C, SOT-23 ( TO-236 ), 100mA, SOT-23 ( TO236 ), 45V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Gain hfe: 520. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 50V, 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.075V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34