Transistor PNP BC859C, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3 G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 3G/4C. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Diodes Inc. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 20:34