Transistor PNP MMBT4403LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Courant de collecteur Ic [A]: 0.6A. 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Marquage sur le boîtier: 2T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 225mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Unité de conditionnement: 3000. Vcbo: 40V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:37