Diode BAS85, 12.7k Ohms, 0.2A, 4A, SOD-80C, 30 v. Boîtier: 12.7k Ohms. IF(AV): 0.2A. IFSM: 4A. Boîtier (selon fiche technique): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Courant d'impulsion max.: 5A. Courant: 200mA. Dissipation de puissance maxi: 200mW. Fonction: Diodes à barrière Schottky à commutation rapide en verre. IRM (max): 2uA. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: IFSM--4A t=10ms. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de conduction (tension de seuil): 0.8V. Tension de seuil Vf (max): 0.8V. Tension de seuil Vf (min): 0.24V. Tension de seuil: 320mV. Tension inverse maxi: 30V. Trr Diode (Min.): 5 ns. Type de diode: diode de redressement Schottky. Produit d'origine constructeur: Taiwan Semiconductor. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:01