Diodes standard et de redressement

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 0.8A. VRRM: 400V

Diode. Cj: 120pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: 28.7k Ohms. Equivalences: P1000M, 10A07-TP. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8.9x8.8mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--400Ap t=8.3ms

Diode. Cj: 183pF. Quantité par boîtier: 2. Structure diélectrique: cathode commune. Matériau semi-conducteur: Sb. Fonction: diode de redressement Schottky. IF(AV): 12A. IFSM: 330A. Equivalences: VS-12CWQ06FN-M3, VS-12CWQ06FNTR-M3. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 0.95V. Tension de seuil Vf (min): 0.85V. VRRM: 100V. Nombre de connexions: 2. Spec info: Ifsm--2x165A (t=5us), Vf max--0.65V

Diode. Cj: 180pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 45 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 150A. IFSM: 1600A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.13V. Tension de seuil Vf (min): 0.99V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--1600Ap (Tc--25). Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide

Diode. Cj: 100pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 60 ns. Utilisation: peut également être utilisé pour les systèmes de panneaux solaires. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 150A. IFSM: 1500A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): POWERTAB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.07V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Fonction: diode à récupération souple ultra-rapide

Diode. Matériau semi-conducteur: Sb. IF(AV): 19A. Diode Schottky?: Schottky. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. VRRM: 15V. Remarque: 700App/5us, 330App/10ms. Remarque: Vfm 0.36V/19A

Diode. VRRM: 100V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA..50uA. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: DO-41 ( DO-204AL ). Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Boîtier: DO41. Type de diode: diode de redressement. Configuration des diodes: indépendant. Tension de seuil maxi: <1.1V / 1A. Type de montage: THT. Courant redressé moyen par diode: 1A. Courant de fuite inverse: <50uA / 100V. Temps de récupération inverse (max): 1500ns. Série de produits: 1N40

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode. RoHS: oui. Boîtier: DO-41. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): DO-41. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 400V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: Ifms 300Ap t=8.3ms

Diode. RoHS: oui. Boîtier: SOD-323. Cj: 2pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Diodes haute vitesse. IF(AV): 150mA. IFSM: 300mA. Autre nom: IN4148. IRM (max): 1uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Dimensions: 1.7x1.25x1mm. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier (selon fiche technique): SOD-323F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. VRRM: 100V. Spec info: Ifsm--1us 1A, 1s 0.35A

Diode. Trr Diode (Min.): 4 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 500mA. IFSM: 1A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 25nA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. VRRM: 100V

Diode. RoHS: oui. Famille de composants: Diode au silicium à petit signal. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DO-35. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. If [A]: 0.5A. Ifsm [A]: 4A. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 100V. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 25nA..50uA. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Tension directe Vfmax (V): 1V @ 10mA

Diode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Fast Switching Diodes, Ifsm--1us, 4A. IF(AV): 0.3A. IFSM: 4A. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Température de fonctionnement: -50...+200°C. VRRM: 50V

Diode. Trr Diode (Min.): 2 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de commutation ultra-rapide, Ifsm 1us 2A. IF(AV): 0.2A. IFSM: 2A. IRM (max): 50nA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. Température de fonctionnement: -50...+200°C. Tension de seuil Vf (min): 1V. VRRM: 75V

Diode. Cj: 15pF. Trr Diode (Min.): 150 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide pour un rendement élevé. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO41. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. VRRM: 200V. Spec info: 30App/8.3ms

Diode. RoHS: oui. Boîtier: DO-41. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 200 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide pour un rendement élevé. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( DO-204AL ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS

Diode. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Silicon Rectifier. IF(AV): 2A. IFSM: 50A. IRM (max): uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( DO-204AC ) 6.35x3.0mm. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 800V

Diode. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode. IF(AV): 3.3mA. Remarque: diode tunnel. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-35 ( SOD27 ). Boîtier (selon fiche technique): DO-35. VRRM: 100V

Diode. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 300V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Spec info: IFSM--50Ap

Diode. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 500V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Diode. Cj: 20pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1.5A. IFSM: 50A. IRM (max): 50uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-15. Boîtier (selon fiche technique): DO-15 ( 3.3x6.4mm ). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: capacité de courant élevée, faible chute de tension directe. Spec info: IFSM--50Ap, t=8.3mS

Diode. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 200V. Nombre de connexions: 2. Remarque: GI. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Diode. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms

Diode. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Nombre de connexions: 2. Remarque: entraxe 15mm. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms