Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v

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Diode BAT54S-215, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, 600mA, SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.2A. IFSM: 600mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 2uA. Famille de composants: double diode Schottky, montage CMS. Fonction: double diode Schottky. IRM (max): 2uA. Ifsm [A]: 0.6A. Marquage sur le boîtier: L44 ou V4. Matériau semi-conducteur: Sb. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Structure diélectrique: Anode-cathode commune (point milieu). Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 30 v. Tension de seuil Vf (max): 800mV. Tension de seuil Vf (min): 240mV. Trr Diode (Min.): 5 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 5 ns. [V]: 0.4V @ 10mA. Produit d'origine constructeur: Nxp Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 12:18

Documentation technique (PDF)
BAT54S-215
32 paramètres
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
IF(AV)
200mA
If [A]
0.2A
IFSM
600mA
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
30 v
Cj
10pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
2uA
Famille de composants
double diode Schottky, montage CMS
Fonction
double diode Schottky
IRM (max)
2uA
Ifsm [A]
0.6A
Marquage sur le boîtier
L44 ou V4
Matériau semi-conducteur
Sb
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Spec info
IFSM--600mAp (t=10ms)
Structure diélectrique
Anode-cathode commune (point milieu)
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
30 v
Tension de seuil Vf (max)
800mV
Tension de seuil Vf (min)
240mV
Trr Diode (Min.)
5 ns
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
5 ns
[V]
0.4V @ 10mA
Produit d'origine constructeur
Nxp Semiconductors
Quantité minimum
10