Diode BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V

Diode BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V

Quantité
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10-49
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50-99
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100-499
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Minimum: 10

Diode BAW56, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 1A, SOT-23 ( TO236 ), 80V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). IF(AV): 200mA. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 80V. Cj: 2pF. Courant d'impulsion max.: 2A. Courant: 450mA, 0.3A. Fonction: Ultra High Speed Switching. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Marquage sur le boîtier: A1s. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation ultra rapide. Puissance: 350mW. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS A1s. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Structure diélectrique: anode commune. Temps de réaction: 4ns, 6ns. Température: +150°C. Tension de conduction (tension de seuil): 1.25V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Tension de seuil: 1V. Tension inverse maxi: 70V, 85V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Type d'élément semi-conducteur: diode. Type de diode: diode de commutation. Produit d'origine constructeur: Infineon Technologies. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:01

Documentation technique (PDF)
BAW56
34 paramètres
Boîtier
SOT-23 ( TO-236 )
IF(AV)
200mA
IFSM
1A
Boîtier (selon fiche technique)
SOT-23 ( TO236 )
VRRM
80V
Cj
2pF
Courant d'impulsion max.
2A
Courant
450mA, 0.3A
Fonction
Ultra High Speed Switching
IRM (max)
50uA
IRM (min)
0.15uA
Marquage sur le boîtier
A1s
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de connexions
3
Propriétés des éléments semi-conducteurs
commutation ultra rapide
Puissance
350mW
Quantité par boîtier
2
Remarque
sérigraphie/code CMS A1s
RoHS
oui
Spec info
Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms
Structure diélectrique
anode commune
Temps de réaction
4ns, 6ns
Température
+150°C
Tension de conduction (tension de seuil)
1.25V
Tension de seuil Vf (max)
1.25V
Tension de seuil Vf (min)
0.715V
Tension de seuil
1V
Tension inverse maxi
70V, 85V
Trr Diode (Min.)
4 ns
Type d'élément semi-conducteur
diode
Type de diode
diode de commutation
Produit d'origine constructeur
Infineon Technologies
Quantité minimum
10