Diode BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V

Diode BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V

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Diode BAW56W, SOT-323, 200mA, 0.15A, 1A, SOT323, 85V. Boîtier: SOT-323. Boîtier (norme JEDEC): -. IF(AV): 200mA. If [A]: 0.15A. IFSM: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT323. VRRM: 85V. Cj: 2pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 30nA..150uA. Famille de composants: double diode pour petits signaux. Montage en surface (CMS). Fonction: Ultra High Speed Switching. IRM (max): 50uA. IRM (min): 0.15uA. Ifsm [A]: 4A. Marquage sur le boîtier: A1. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. Remarque: sérigraphie/code CMS A1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms. Structure diélectrique: anode commune. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 90V. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 0.715V. Trr Diode (Min.): 4 ns. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 4 ns. [V]: 0.855V @ 10mA. Produit d'origine constructeur: Philips Semiconductors. Quantité minimum: 10. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 18:01

Documentation technique (PDF)
BAW56W
34 paramètres
Boîtier
SOT-323
IF(AV)
200mA
If [A]
0.15A
IFSM
1A
Boîtier (selon fiche technique)
SOT323
VRRM
85V
Cj
2pF
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
30nA..150uA
Famille de composants
double diode pour petits signaux
Fonction
Ultra High Speed Switching
IRM (max)
50uA
IRM (min)
0.15uA
Ifsm [A]
4A
Marquage sur le boîtier
A1
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
composant monté en surface (CMS)
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
2
Remarque
sérigraphie/code CMS A1
RoHS
oui
Spec info
Ifsm--4.5A t=1us, 1A t=1ms
Structure diélectrique
anode commune
Température maxi
+150°C.
Température
+150°C
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
90V
Tension de seuil Vf (max)
1.25V
Tension de seuil Vf (min)
0.715V
Trr Diode (Min.)
4 ns
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
4 ns
[V]
0.855V @ 10mA
Produit d'origine constructeur
Philips Semiconductors
Quantité minimum
10