Diode BY399, DO-27, 800V, 3A, 3A, 3A, 200A, DO-27 ( 9.5x5.6mm )

Diode BY399, DO-27, 800V, 3A, 3A, 3A, 200A, DO-27 ( 9.5x5.6mm )

Quantité
Prix unitaire
5-49
0.11€
50-99
0.0956€
100-199
0.0866€
200+
0.0704€
+3723 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Quantité en stock: 436
Minimum: 5

Diode BY399, DO-27, 800V, 3A, 3A, 3A, 200A, DO-27 ( 9.5x5.6mm ). Boîtier: DO-27. Boîtier (norme JEDEC): -. VRRM: 800V. Courant redressé moyen par diode: 3A. IF(AV): 3A. If [A]: 3A. IFSM: 200A. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.5x5.6mm ). Cj: 65pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration des diodes: indépendant. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant d'impulsion max.: 100A. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 5uA. Courant: 3A. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Fonction: commutation rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 10uA. Ifsm [A]: 110A. Information: -. MSL: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Propriétés des éléments semi-conducteurs: commutation rapide. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 200Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Structure semi-conductrice: diode. Série: BY399. Temps de réaction: 500ns. Temps de récupération inverse (max): 500ns. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +175°C.. Tension de conduction (tension de seuil): 1.3V. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 800V. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.3V. Tension de seuil maxi: <1.2V / 3A. Tension de seuil: 1.3V, 1.25V. Tension inverse maxi: 800V. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de diode: diode de redressement. Type de montage: THT. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 500 ns. [V]: 1.2V @ 3A. Produit d'origine constructeur: Dc Components Co. Quantité minimum: 5. Quantité en stock actualisée le 13/11/2025, 14:24

Documentation technique (PDF)
BY399
49 paramètres
Boîtier
DO-27
VRRM
800V
Courant redressé moyen par diode
3A
IF(AV)
3A
If [A]
3A
IFSM
200A
Boîtier (selon fiche technique)
DO-27 ( 9.5x5.6mm )
Cj
65pF
Conditionnement
Ammo Pack
Configuration des diodes
indépendant
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant d'impulsion max.
100A
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
5uA
Courant
3A
Famille de composants
Diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
commutation rapide
IRM (max)
150uA
IRM (min)
10uA
Ifsm [A]
110A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Propriétés des éléments semi-conducteurs
commutation rapide
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
200Ap
Structure diélectrique
Anode-cathode
Structure semi-conductrice
diode
Série
BY399
Temps de réaction
500ns
Temps de récupération inverse (max)
500ns
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Température maxi
+175°C.
Tension de conduction (tension de seuil)
1.3V
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
800V
Tension de seuil Vf (max)
1.3V
Tension de seuil Vf (min)
1.3V
Tension de seuil maxi
<1.2V / 3A
Tension de seuil
1.3V, 1.25V
Tension inverse maxi
800V
Trr Diode (Min.)
500 ns
Type de conditionnement
Ammo Pack
Type de diode
diode de redressement
Type de montage
THT
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
500 ns
[V]
1.2V @ 3A
Produit d'origine constructeur
Dc Components Co
Quantité minimum
5