Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.89€ | 1.08€ |
5 - 9 | 0.85€ | 1.03€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.83€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.79€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
100 - 249 | 0.55€ | 0.67€ |
250 - 884 | 0.48€ | 0.58€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.89€ | 1.08€ |
5 - 9 | 0.85€ | 1.03€ |
10 - 24 | 0.69€ | 0.83€ |
25 - 49 | 0.65€ | 0.79€ |
50 - 99 | 0.56€ | 0.68€ |
100 - 249 | 0.55€ | 0.67€ |
250 - 884 | 0.48€ | 0.58€ |
Diode P1000M. Diode. Cj: 70pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 1500 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 10A. IFSM: 400A. IRM (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: P1000M. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 ( 8x7.5mm ). Température de fonctionnement: -50...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--800Ap t=10mS. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.
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