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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2N4403

Transistor 2N4403
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Transistor 2N4403. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-92Ammo Pack. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.75V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 30pF. C (out): 8.5pF. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.6A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 30 ns. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non
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