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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210

Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210
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Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V - 2N5210. Transistor NPN, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. C (out): 4pF. Diode CE: non. Unité de conditionnement: 2000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pré-amplificateur HI-FI à faible bruit. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 200. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 4.5V. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 20:25.

Documentation technique

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BC547B

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Transistor NPN, TO-92, 100mA, TO-92, 40V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Diode CE: non. Transistor Darlington?: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: Transistor de commutation. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Tf(max): 75 ns. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Vebo: 5V
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