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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2N5551

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Transistor 2N5551. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-92. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-92. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: Ampli VIDEO.. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 80. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.

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