Transistor 2N6517

Transistor 2N6517. Transistor. C (out): 6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 0.5A. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor au silicium épitaxial NPN. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 350V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2N6520. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.