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Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V - 2SC3298-PMC

Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V - 2SC3298-PMC
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Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V - 2SC3298-PMC. Transistor NPN, 1.5A, TO-220FP, 160V. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-220FP. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: transistor à boîtier isolé. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 70. Dissipation de puissance maxi: 20W. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1306. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur Pmc. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 23:25.

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2SC5171

2SC5171

Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier...
2SC5171
Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: TV, SL. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 50. Marquage sur le boîtier: C5171. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1930. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V
2SC5171
Transistor NPN, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: TV, SL. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 50. Marquage sur le boîtier: C5171. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 20W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1930. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Type'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V
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