Transistor 2SD1626

Transistor 2SD1626. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: courant continu élevé, pilotes de relais, pilotes de lampe. Gain hFE maxi: 4000. Gain hFE mini: 3000. Courant de collecteur: 1.5A. Ic(puls): 3A. Marquage sur le boîtier: DI. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-89. Boîtier (selon fiche technique): SANYO PCP. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.9V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 10V. Spec info: sérigraphie/code CMS DI, transistor complémentaire (paire) 2SB1126. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 11:25.