Transistor 2SD600K

Transistor 2SD600K. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 130 MHz. Fonction: Amplificateur de puissance basse fréquence. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 8W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB631K. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.