Transistor 2SK1120

Transistor 2SK1120. Transistor. Td(off): 100 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Silicon N Channel Mos. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 1000V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 3.5V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. C (in): 1300pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 300uA. Marquage sur le boîtier: K1120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. Résistance passante Rds On: 1.5 Ohms. Spec info: Convertisseur DC-DC et application d'entraînement de moteur. Poids: 4.6g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.