Transistor canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530

Transistor canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V - 2SK1530. Transistor canal N, 12A, 1mA, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F1B, 200V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 1mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): 2-21F1B. Tension Vds(max): 200V. C (in): 900pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Protection G-S: non. Marquage sur le boîtier: K1530. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 150W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 17/06/2025, 16:25.