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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SK2545

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Transistor 2SK2545. Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Id (T=100°C): 3A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K2545. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 45 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 900pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 32A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 100nA. Idss (min): 10nA. Marquage sur le boîtier: K2645. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 60 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui
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