Transistor 3DD209L

Transistor 3DD209L. Transistor. Transistor Darlington?: non. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 12A. Ic(puls): 24A. Marquage sur le boîtier: D209L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(min): 0.7us. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.