Transistor AP4800CGM

Transistor AP4800CGM. Transistor. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 20 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 40A. Id (T=100°C): 8.4A. Id (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (maxi): 10.4A. Marquage sur le boîtier: 4800C G M. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Power MOSFET'. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. Fonction: commutation rapide, convertisseur DC/DC. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.