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Transistor BC558B

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Transistor BC558B. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Fonction: Commutation et amplificateur AF. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.

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