Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 0.84€ | 1.02€ |
2 - 2 | 0.80€ | 0.97€ |
3 - 4 | 0.76€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.72€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.67€ | 0.81€ |
25 - 49 | 0.63€ | 0.76€ |
50 - 124 | 0.59€ | 0.71€ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.84€ | 1.02€ |
2 - 2 | 0.80€ | 0.97€ |
3 - 4 | 0.76€ | 0.92€ |
5 - 9 | 0.72€ | 0.87€ |
10 - 24 | 0.67€ | 0.81€ |
25 - 49 | 0.63€ | 0.76€ |
50 - 124 | 0.59€ | 0.71€ |
Transistor BC636. Transistor. C (in): 110pF. C (out): 9pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Date de production: 1997.04. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 1A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 800mW. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.
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