Transistor BC856B

Transistor BC856B. Transistor. C (out): 4.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3B. Equivalences: ON Semiconductor BC856BLT1G. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.065V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS 3B. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.