Transistor BD238

Transistor BD238. Transistor. RoHS: oui. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Applications audio, linéaires de puissance et de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 25. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 6A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD237. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.