Transistor BD646

Transistor BD646. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 7 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 1500. Gain hFE mini: 750. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 12A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 62.5W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 13:25.