Transistor BDX53C

Transistor BDX53C. Transistor. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 20 MHz. Gain hFE maxi: +150°C. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Puissance: 60W. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE min.: 750. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) BDX54C. Fonction: amplificateur audio. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.