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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor BSS123

Transistor BSS123
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Quantité (Lot de 10) HT TTC
1 - 1 0.34€ 0.41€
2 - 2 0.32€ 0.39€
3 - 4 0.30€ 0.36€
5 - 9 0.29€ 0.35€
10 - 24 0.27€ 0.33€
25 - 49 0.25€ 0.30€
50 - 10695 0.24€ 0.29€
Quantité (Lot de 10) U.P
1 - 1 0.34€ 0.41€
2 - 2 0.32€ 0.39€
3 - 4 0.30€ 0.36€
5 - 9 0.29€ 0.35€
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Quantité en stock : 106942
Lot de 10

Transistor BSS123. Transistor. C (in): 23pF. C (out): 6pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 600mA. Id (T=25°C): 150mA. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 12 ns. Td(on): 3 ns. Technologie: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 2975
BSS123-ONS

BSS123-ONS

Transistor. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min....
BSS123-ONS
Transistor. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 680mA. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
BSS123-ONS
Transistor. C (in): 20pF. C (out): 9pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 11 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: sérigraphie/code CMS SA. Id(imp): 680mA. Id (T=25°C): 170mA. Idss (maxi): 46.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: SA. Equivalences: BSS123-7-F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Résistance passante Rds On: 6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Mode d'amélioration du niveau logique transistor à effet de champ. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.6V. Vgs(th) min.: 1.6V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
Lot de 10
1.66€ TTC
(1.37€ HT)
1.66€

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