Transistor BUH1015HI

Transistor BUH1015HI. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 7. Courant de collecteur: 14A. Ic(puls): 18A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Boîtier: ISOWATT218FX. Boîtier (selon fiche technique): TO-218-ISO. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.