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Transistor BUT11APX

Transistor BUT11APX
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Transistor BUT11APX. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Dissipation de puissance maxi: 32W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance. Tf(max): 160 ns. Tf(min): 145 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( SOT186A ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.

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