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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor CEB6030L

Transistor CEB6030L
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1 - 4 0.96€ 1.16€
5 - 9 0.91€ 1.10€
10 - 24 0.86€ 1.04€
25 - 49 0.81€ 0.98€
50 - 99 0.80€ 0.97€
100 - 249 0.78€ 0.94€
250 - 718 0.74€ 0.90€
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Transistor CEB6030L. Transistor. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1
NDB6030L
Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: Field Effect Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1
Lot de 1
1.89€ TTC
(1.56€ HT)
1.89€
Quantité en stock : 285
SPB56N03L

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Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 56A. Marquage sur le boîtier: 56N03L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1
SPB56N03L
Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET à commande de porte par niveau logique. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 56A. Marquage sur le boîtier: 56N03L. Dissipation de puissance maxi: 120W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SIPMOS Power Transistor. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263 ( D2PAK ). Tension Vds(max): 30 v. Quantité par boîtier: 1
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