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Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V - 1N5408. Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. RoHS: oui. Cj: 40pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Produit d'origine constructeur Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.

Documentation technique

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