Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.12€ | 0.15€ |
10 - 24 | 0.11€ | 0.13€ |
25 - 49 | 0.11€ | 0.13€ |
50 - 99 | 0.10€ | 0.12€ |
100 - 249 | 0.0967€ | 0.1170€ |
250 - 499 | 0.0829€ | 0.1003€ |
500 - 9370 | 0.0773€ | 0.0935€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.12€ | 0.15€ |
10 - 24 | 0.11€ | 0.13€ |
25 - 49 | 0.11€ | 0.13€ |
50 - 99 | 0.10€ | 0.12€ |
100 - 249 | 0.0967€ | 0.1170€ |
250 - 499 | 0.0829€ | 0.1003€ |
500 - 9370 | 0.0773€ | 0.0935€ |
Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V - 1N5408. Diode, 3A, 200A, DO-27, DO-27 ( 9.2x5.2mm ), 1000V. IF(AV): 3A. IFSM: 200A. Boîtier: DO-27. Boîtier (selon fiche technique): DO-27 ( 9.2x5.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 5us. Matériau semi-conducteur: silicium. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Spec info: IFSM--200Ap t=8.3ms. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 07:25.
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