Transistor FJN3302R

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.51€	0.62€
10 - 24	0.49€	0.59€

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Transistor FJN3302R. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 250 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 300mA. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 10V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

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