Transistor FJP13007H1

Transistor FJP13007H1. Transistor. C (out): 110pF. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 28. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: J13007-1. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.7us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 10:25.