Transistor FQA13N80-F109

Transistor FQA13N80-F109. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA13N80. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 6.3A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 320 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 155 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.