Transistor FQA24N60

Transistor FQA24N60. Transistor. C (in): 4200pF. C (out): 550pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 470 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 94A. Id (T=100°C): 14.9A. Id (T=25°C): 23.5A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 310W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Technologie DMOS. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 90nC). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 08:25.