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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor FQP7N80

Transistor FQP7N80
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Transistor FQP7N80. Transistor. C (in): 1420pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 26.4A. Id (T=100°C): 4.2A. Id (T=25°C): 6.6A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 167W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 95 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 06:25.

Documentation technique

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