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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor FQP9N90C

Transistor FQP9N90C
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Transistor FQP9N90C. Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Dissipation de puissance maxi: 205W. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 900V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 45nC, faible Crss 14pF. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui
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