Transistor FQPF3N80C

Transistor FQPF3N80C. Transistor. C (in): 543pF. C (out): 54pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 642 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 12A. Id (T=100°C): 1.9A. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 39W. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 13nC, faible Crss 5.5pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.