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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor FQPF4N90C. Transistor. C (in): 740pF. C (out): 65pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 2.3A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 47W. Résistance passante Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 40 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 18:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 1150pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 15A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Marquage sur le boîtier: K3565. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 70 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: oui
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Transistor. C (in): 1140pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): na. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): na. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 2.1 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 210 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: HVX-2 Series POWER MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: non. Protection G-S: non
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