Transistor FQT4N20LTF

Transistor FQT4N20LTF. Transistor. C (in): 240pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 3.4A. Id (T=100°C): 0.55A. Id (T=25°C): 0.85A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 2.2W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. C (out): 36pF. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 11:25.