Transistor HGTG30N60A4D

Transistor HGTG30N60A4D. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: TO-247. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 30 ns. Fonction: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Ic(T=100°C): 60A. Marquage sur le boîtier: 30N60A4D. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Spec info: 463W. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.