Transistor IPD50N03S2L-06

Transistor IPD50N03S2L-06. Transistor. C (in): 1900pF. C (out): 760pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Logic Level, Enhancement mode. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 50A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 27uA. Idss (min): 0.01uA. Marquage sur le boîtier: PN03L06. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 136W. Résistance passante Rds On: 7.6m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: OptiMOS® Power-Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): PG-TO252-3-11 ( TO252 ) ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.