Transistor IRF5210

Transistor IRF5210. Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 790pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 29A. Id (T=25°C): 40A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.06 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 79 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.