Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A, 50, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A, 50, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V - IRF630. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 9A, 50, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Boîtier (norme JEDEC): 50. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF630. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.