Transistor canal N, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103

Transistor canal N, 3A, SO, SO-8, 50V - IRF7103. Transistor canal N, 3A, SO, SO-8, 50V. Id (T=25°C): 3A. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 50V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 2. Fonction: 2xN-CH 50V. Protection G-S: non. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.