Transistor IRF730

Transistor IRF730. Transistor. C (in): 700pF. C (out): 170pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 22A. Id (T=100°C): 3.3A. Id (T=25°C): 5.5A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 400V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.