Transistor IRF8010

Transistor IRF8010. Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 480pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 90 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 57A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 260W. Résistance passante Rds On: 12m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.