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Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9510PBF

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9510PBF
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Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V - IRF9510PBF. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, -100V, -4A, 1, TO-220, TO-220AB, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Boîtier (norme JEDEC): 1. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9510PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Produit d'origine constructeur Vishay. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.

Documentation technique

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