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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor IRF9510PBF

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Transistor IRF9510PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF9510PBF. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 350pF. C (out): 110pF. Type de canal: P. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 4.1A. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 48W. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 28 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
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Transistor. C (in): 390pF. C (out): 170pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 98 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 4.8A. Id (T=25°C): 6.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.6 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 9.6 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
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